原液Zeta電位分析儀用于CMP過程中顆粒電荷對材料去除率影響的檢測
原液高濃度Zeta電位分析儀用于化學機械拋光(CMP)過程中顆粒電荷對材料去除率影響的檢測在宏觀尺度長度下,拋光過程中的材料去除率(dh/dt)被普雷斯頓方程描述為:dh/dt=kpσoVr,其中kp是普雷斯頓系數(shù),σo是施加的壓力,Vr是拋光顆粒相對于工件表面的平均速度。然而,光學拋光過程涉及工件、漿料和搭接之間在多個尺度長度上的一系列復雜的相互作用。因此,普雷斯頓系數(shù)代表了眾多拋光參數(shù)的集合,包括工件材料、漿料顆粒組成、漿料粒度分布(PSD)、漿料化學、焊盤形貌和焊盤機械...電話
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